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东芝首家宣布19nm闪存工艺

编辑:上海永成祥科技有限公司  字号:
摘要:东芝首家宣布19nm闪存工艺
上周Intel美光合资的IMFT公司刚刚宣布20nm闪存工艺,创造了闪存制造技术的新纪录。本周这一纪录马上再被打破,东芝今天就宣布了自己的19nm NAND闪存制造技术。

东芝表示,该技术目前已经应用在2bpc(即MLC)64Gbit(8GB)NAND闪存芯片上,可用于固态硬盘或智能手机、平板机内置存储等。未来还将应用于3bpc产品,主要用于U盘存储卡等。

东芝表示,其19nm工艺NAND闪存产品支持Toggle DDR2.0标准,可提升传输速度。同时由于工艺提升导致的芯片面积下降,他们可以在同一颗芯片内封装16片64Gbit 闪存,实现单芯片128GB容量,面向智能手机、平板机等空间有限的产品。

东芝的19nm工艺2bpc(MLC)64Gbit NAND闪存将于本月底出货样品,今年第三季度实现量产,基本和Intel/美光的20nm工艺同步。

更新:作为东芝的闪存技术合作伙伴,SanDisk也同期宣布了19nm闪存工艺。
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